第三代宽禁带半导体材料与器件平台
The third generation of wide bandgap semiconductor materials & devices platform
海南大学三亚研究院第三代宽禁带半导体材料与器件平台是由研究
院联合半导体行业专业技术团队打造的重点项目，
专注于SiC的外延生长研究。
首批投资4250万元，选址三亚市崖州区招商深海装备产业园，实验室面积1049平。
经过近两年的建设，实验室已具备6英寸碳化硅外延片定制化生产能力。
2023年，平台先后被海南省科学技术厅、海南省发展改革委员会认定为省级中试研究基地和省级工程研究中心（筹）。
平台展示
服务项目
Available Services
碳化硅外延生长，是一个富有挑战性的过程。平台凭借先进的科研手段和丰富的实践经验，控制外延层生长，深入研究外延工艺，为客户提供最优质的外延片。
01.
外延片销售
碳化硅外延生长，是一个富有挑战性的过程。平台凭借先进的科研手段和丰富的实践经验，控制外延层生长，深入研究外延工艺，追求更高的晶体质量和加工质量，为客户提供最优质的外延片。目前可小批量提供6英寸外延片。
02.
检测服务
平台拥有国际先进的测试、表征设备及表征能力，可以为客户提供衬底及外延片的晶圆厚度、载流子浓度、表面粗糙度、表面缺陷测试服务。
03.
项目合作
平台团队专注于碳化硅外延领域的深度研发，以专业的知识，为项目提供全程的技术支持，承接各种定制外延片及外延片、外延生长设备相关研发项目。
04.
人员实习实训
平台配备有全套的厂务系统、外延生长设备、检测设备，专业的技术人员，可以与高校、科研单位、企业联合进行人员的理论知识及实践操作培训。