第三代半导体领域专题库

检测

表面粗糙度

1	CN200610114104.0	一种具有全波长的光探测器及其制备方法
2	CN201210172631.2	一种具有金字塔阵列结构的LED芯片及其制造方法
3	CN201510503823.0	一种调控SiC基外延石墨烯电子带隙的方法
4	CN201510631688.8	具有能带结构电位波动的高效紫外发光二极管
5	CN201680079658.3	使半导体表面平整的制造方法
6	CN201710888773.1	一种多波长GaN基非对称量子阱面发射激光器及其制备方法
7	CN201710982928.8	一种用于氮化铝籽晶的加工工艺
8	CN201810007424.9	单晶压电射频谐振器和滤波器的制备方法
9	CN201910020922.1	一种红外发生器
10	CN201910102753.6	一种碳化硅单晶薄膜的制备方法

表面缺陷

1	CN03147500.0	制造绝缘体上硅锗衬底材料的方法以及该衬底
2	CN200410077160.2	改善有缺陷的半导体材料质量的方法
3	CN201380020805.6	SiC上的高电压功率半导体器件
4	CN201410130941.7	一种降低碳化硅外延片表面颗粒密度的方法
5	CN201410641038.7	应用石墨烯的高探测率氮化镓基肖特基型紫外探测器
6	CN201510503823.0	一种调控SiC基外延石墨烯电子带隙的方法
7	CN201710120128.5	一种降低SiC外延晶片表面三角形缺陷的外延方法
8	CN201711214286.3	一种准确辨别碳化硅单晶位错类型的方法
9	CN201720363485.X	多室化学气相沉积系统
10	CN201810089912.9	氧化物半导体基光电探测器及提高其性能的方法

掺杂浓度

1	CN03815927.9	用于GAAS NEMS的二维电子气激励和传导的装置和方法
2	CN200610116100.6	形成硅外延测试片的方法
3	CN200610135353.8	4HSiC雪崩光电探测器及其制备方法
4	CN200610135372.0	掺杂4HSiC PIN结构紫外光电探测器及其制备方法
5	CN200620156550.3	4HSiC雪崩光电探测器
6	CN200620156586.1	一种PIN结构4HSiC紫外光电探测器
7	CN200680028037.9	高灵敏度高分辨率的检测器装置和阵列
8	CN200810041159.2	一种具有内增益的紫外探测器及制备方法
9	CN200910074306.0	用于霍尔效应测量的轻掺杂SiC基体上制作欧姆电极的方法
10	CN201010278812.4	基于碳化硅金属半导体场效应管结构的辐照探测器

掺杂浓度均匀性

1	CN201210141611.9	提高碳化硅多层结构外延材料批次间掺杂均匀性的方法
2	CN201210165884.7	半导体结构的形成方法及MOS晶体管的形成方法
3	CN201310615586.8	一种提高碳化硅外延片片内n型掺杂浓度均匀性的方法
4	CN201410369904.1	鳍式场效应管的形成方法
5	CN201611192601.2	一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构
6	CN201621419760.7	一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构
7	CN201710140034.4	超掺杂均匀性大面积SiC外延层的制备方法及其生长腔室结构
8	CN201710911736.8	一种SiC外延层的制备方法及装置
9	CN201810418667.1	一种提高碳化硅外延片片内p型掺杂浓度均匀性的方法
10	CN201810517372.X	一种应用于瞬发裂变中子铀矿测井的4HSiC半导体中子探测器

电阻率

1	CN02108834.9	一种P型族氮化物材料的制作方法
2	CN02145712.3	单晶氮化镓基板单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法
3	CN02152724.5	自对准双极型晶体管的制造方法与结构
4	CN97113037.X	对半导体器件的改进
5	CN99100702.6	高传热效率的热汽喷墨打印头及其制造方法
6	CN200410046039.3	生长高阻氮化镓外延膜的方法
7	CN200480019986.1	半绝缘GaN及其制造方法
8	CN200580012241.7	互补的横向氮化物晶体管
9	CN200610071561.6	金刚石衬底及其制造方法
10	CN200610112889.8	氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法

厚度

1	CN02824729.9	诸如锗硅碳化物波导的波导及其制作方法
2	CN03147500.0	制造绝缘体上硅锗衬底材料的方法以及该衬底
3	CN03815927.9	用于GAAS NEMS的二维电子气激励和传导的装置和方法
4	CN03827149.4	垂直磁记录介质以及磁存储装置
5	CN200320123167.4	SiC肖特基紫外探测器
6	CN200510009071.9	微机械的半导体元件及其制造方法
7	CN200610114104.0	一种具有全波长的光探测器及其制备方法
8	CN200610116100.6	形成硅外延测试片的方法
9	CN200610132089.2	生长非常均匀的碳化硅外延层
10	CN200610135353.8	4HSiC雪崩光电探测器及其制备方法

薄厚均匀性

1	CN98127134.0	热处理SOI衬底的方法和设备及利用其制备SOI衬底的方法
2	CN201110437215.6	碳化硅化学气相外延载物台装置
3	CN201210141611.9	提高碳化硅多层结构外延材料批次间掺杂均匀性的方法
4	CN201210183275.4	用于改善应变结构的厚度均匀性的反应层
5	CN201210355934.8	一种在碳化硅表面形成牺牲氧化层的方法
6	CN201210434769.5	具有四方环状结构反射层的发光二极管的制造方法
7	CN201210454797.3	鳍式场效应管的形成方法
8	CN201310023732.8	一种提高氮化物LED外延片发射波长均匀性的生长方法
9	CN201310279780.3	一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积设备
10	CN201310394554.X	一种改进多片式外延材料厚度分布均匀性的氢化物气相沉积装置与方法

结晶质量

1	CN01106742.X	在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法
2	CN02111761.6	应用于生长外延晶体的通用衬底及其制备方法
3	CN03129602.5	LiAlO2_Al2O3复合衬底材料的制备方法
4	CN98800877.7	单晶SiC及其制造方法
5	CN200410065875.6	具有硅衬底的氧化锌薄膜及制备方法
6	CN200410073841.1	垂直结构的半导体芯片或器件包括高亮度LED及其批量生产方法
7	CN200410081169.0	化合物半导体生长用基板使用该基板的化合物半导体及其制造方法
8	CN200510088625.9	发光二极管结构
9	CN200580032490.2	用于大碳化硅单晶的高品质生长的籽晶和籽晶夹持器组合
10	CN200610024155.4	一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法

晶相

1	CN02808195.1	用于在半导体衬底上外延淀积膜的系统和方法
2	CN03827149.4	垂直磁记录介质以及磁存储装置
3	CN200410077160.2	改善有缺陷的半导体材料质量的方法
4	CN200480009014.4	微机械谐振器及其制造方法
5	CN200810055128.2	单片集成非制冷红外_紫外双色探测器
6	CN200910074306.0	用于霍尔效应测量的轻掺杂SiC基体上制作欧姆电极的方法
7	CN201010219623.X	一种基于PIN异质结构的碳化硅基紫外探测材料的制备方法
8	CN201010278832.1	基于碳化硅结型场效应管的辐照探测器
9	CN201110060012.X	堆叠型光电感测装置
10	CN201180005010.9	碳化硅衬底半导体器件制造碳化硅衬底的方法和制造半导体器件的方法

晶型

1	CN03147500.0	制造绝缘体上硅锗衬底材料的方法以及该衬底
2	CN03827149.4	垂直磁记录介质以及磁存储装置
3	CN200410077160.2	改善有缺陷的半导体材料质量的方法
4	CN200810305081.0	半导体光电元件
5	CN200910055894.3	防止外延工艺中标记发生畸变的方法
6	CN200910074306.0	用于霍尔效应测量的轻掺杂SiC基体上制作欧姆电极的方法
7	CN201010219623.X	一种基于PIN异质结构的碳化硅基紫外探测材料的制备方法
8	CN201010278832.1	基于碳化硅结型场效应管的辐照探测器
9	CN201010282765.0	一种微型集成式紫外热复合消解芯片
10	CN201010559109.0	低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法

需要更多文献，请填写下面的申请表。

获取全文申请提交申请表

APPLICATION

申请人

单位名称

联系方式

邮箱

用途

我们会尽快与您联系，如有疑问请拨打： 0898-88838157