第三代半导体领域专题库

器件制备

沉积

 

1

CN01106418.8

电泳共沉积—烧结法制备金属生物玻璃陶瓷梯度涂层的方法

2

CN01111302.2

有机化合物的汽相沉积法和精制法

3

CN02137197.0

一种降低SiC介电常数的沉积工艺

4

CN02805372.9

用于生产金属的方法和电解沉积槽

5

CN02808195.1

用于在半导体衬底上外延淀积膜的系统和方法

6

CN02813274.2

通过在多孔材料上的SIC∶H沉积提高金属阻挡性能

7

CN03140831.1

一种提高金属表面耐高温和耐磨损的电沉积复合镀方法

8

CN03253716.6

一种等离子热丝法化学气相沉积金刚石膜的装置

9

CN92105230.8

控制颗粒流化床中基材上的沉积过程的方法和装置

10

CN93120484.4

无水泥自流型矾土复合浇注料

 

钝化隔离

 

1

CN200480025976.9

单个或多个栅极场板的制造

2

CN200980136770.6

利用保护性侧壁钝化的磁性元件

3

CN201010140070.9

掩埋式高亮度发光二极管结构

4

CN201010227112.2

一种应力增强的CMOS晶体管结构

5

CN201010234248.6

一种半导体芯片封装结构

6

CN201510132036.X

一种高稳定性薄膜氢气传感器及其使用方法

7

CN201510715065.9

一种纵向导通型GaN基沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法

8

CN201520171788.2

一种高稳定性薄膜氢气传感器

9

CN201710038070.X

一种斜面沟道的SiC MOSFET器件及制备方法

10

CN201710128665.4

一种集成肖特基二极管的SiC双沟槽型MOSFET器件及其制备方法

 

光刻

 

1

CN00129284.6

曝光掩模及其制造方法以及半导体器件的制造方法

2

CN01110777.4

高反差比膜片掩膜

3

CN02812972.5

光刻胶组合物、层压材料、图案形成方法和制造半导体器件的方法

4

CN02823609.2

半色调型相移掩膜坯料、半色调型相移掩膜及其制造方法

5

CN02828229.9

投影曝光设备中的成像装置

6

CN96193695.9

半导体晶圆片用的竖直支架

7

CN200310102441.4

在光学石版曝光时冷却标线板的方法以及装置

8

CN200310124321.4

光刻支撑空桥结构和制造一组互连结构的方法

9

CN200480026182.4

对半导体器件中的部件进行构图的方法以及光刻结构

10

CN200510009071.9

微机械的半导体元件及其制造方法

 

金属化

 

1

CN01133505.X

一种制备TiB2—BN导电复合材料的方法

2

CN02121812.9

电路基片的制造方法及电路基片和其电力转换模块

3

CN02812912.1

生产蒸气生长碳纤维的方法和装置

4

CN03128594.5

有模拟电容器的半导体器件及其制造方法

5

CN03267072.9

化合物纳米粉还原金属或非金属纳米粉设备

6

CN03816420.5

用于MOCVD反应器的衬托器

7

CN89109285.4

陶瓷-金属粘接

8

CN92106732.1

一种大功率晶体管的制造方法

9

CN92109291.1

管式纳米级超细微粒制备方法

10

CN94115800.4

聚甲醛组合物及其模塑件

 

刻蚀

 

1

CN00123335.1

抗擦耐磨耐腐蚀抗氧化阻燃吸波多功能纳米复合薄膜材料

2

CN00132549.3

发光二极体及其制造方法

3

CN01100834.2

点接触平面栅型单电子晶体管及其制备方法二

4

CN01100835.0

点接触平面栅型单电子晶体管及其制备方法一

5

CN01101669.8

低K值蚀刻阻挡层的形成方法和一种半导体器件

6

CN01117149.9

制造化合物半导体器件的方法设备

7

CN01130382.4

一种氧掺杂硅碳化合物蚀刻停止层

8

CN01812321.X

相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂,其使用方法和形成的结构

9

CN02105013.9

一种去除钝化层的方法

10

CN02106299.4

制造具有碳化硅膜的半导体器件的方法

 

离子注入

 

1

CN02803195.4

半导体装置

2

CN03104832.3

形成动态准中性束方式减少各种粒子束与目标物作用时的电子激发能损的方法

3

CN98804976.7

受控切分处理

4

CN98808326.4

用于通过植入法掺杂的SiC半导体区的热自愈方法和SiC基半导体元件

5

CN200420092863.8

竖直式离子注入碳化硅高温退火装置

6

CN200420092867.6

水平式离子注入碳化硅高温退火装置

7

CN200480011824.3

用于同时得到一对由有用层覆盖的衬底的方法

8

CN200480019986.1

半绝缘GaN及其制造方法

9

CN200480031953.9

绝缘体上硅锗(SGOI)和绝缘体上锗(GOI)衬底的制造方法

10

CN200480040250.2

具有自对准的欧姆接触的发光器件及其制造方法

 

其他制备方法

 

1

CN01135623.5

硅藻土缓释化肥的生产方法及装置

2

CN03112749.5

一种锌粉的制备装置

3

CN03219543.5

一种锌粉的制备装置

4

CN03807402.8

光路的制造方法和装置

5

CN03809754.0

高压开关器件和形成该器件的工艺

6

CN96109402.8

一种半导体光发射器件及其制作方法

7

CN200310105039.1

一种低温等离子体裂解天然气制乙炔装置与方法

8

CN200310114506.7

大孔径多孔陶瓷元件的制备方法

9

CN200380110037.X

以第三族氮化物为基的倒装片集成电路及其制造方法

10

CN200410006179.8

硅衬底上生长低位错氮化镓的方法

 

清洗

 

1

CN03812022.4

清洗半导体衬底的设备和系统以及局部化加热的方法

2

CN85204611

电极表面的连续自清洗装置

3

CN95235243.5

多功能足浴器

4

CN96193695.9

半导体晶圆片用的竖直支架

5

CN200480010659.X

用于清洗碳化硅颗粒的方法

6

CN200510009071.9

微机械的半导体元件及其制造方法

7

CN200510032364.9

先驱体法制备CfSiC耐高温抗冲刷热防护板的方法

8

CN200510037958.9

高效脱硫洗涤器

9

CN200520069437.7

高效脱硫洗涤器

10

CN200610093135.2

薄膜形成方法及半导体处理设备

 

退火

 

1

CN201710692158.3

一种经纳米变质处理的含硼高铬铸铁磨球制备方法

2

CN201710728362.6

GaN衬底的表面处理方法

3

CN201710760212.3

铝电解大修渣的处理系统及其处理方法

4

CN201710769045.9

等离子体协同催化处理有机废气的装置和方法

5

CN201710769511.3

一种不锈钢退火炉

6

CN201710813027.6

一种制药厂废气净化处理装置

7

CN201710828187.8

一种热处理设备辅助加热炉门系统

8

CN201710887680.7

一种获得高质量AlN模板的方法

9

CN201710890326.X

一种金属表面渗硼超硬处理工艺

10

CN201710893281.1

形成图案的方法精细图案层以及半导体装置

 

氧化

 

1

CN00123255.X

一种用于甲烷与二氧化碳重整反应的微波催化剂及其制备方法

2

CN00123256.8

一种微波强化甲烷与二氧化碳重整制合成气的方法

3

CN00136037.X

导电泡沫陶瓷上制备氧化铝活性涂层及三效催化剂的方法

4

CN01208840.4

蓄热式热氧化器

5

CN01811026.6

乙烷氧化生成乙酸和乙烯用的催化剂及其制造和使用方法

6

CN01812321.X

相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂 其使用方法和形成的结构

7

CN03117871.5

纳米氧化铝胶体功能陶瓷涂料生产方法

8

CN03137773.4

异丁烯或叔丁醇氧化制甲基丙烯醛新型催化剂的制备及其应用

9

CN03146211.1

一种锰氧化物直接合金化炼钢工艺

10

CN03266411.7

热氧化匀流隔热散热装置

 

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