器件种类

1

CN00103786.2

在单晶基板上形成第三族氮化物外延层方法、制品及设备

2

CN01821620.X

用作燃料电池、重整炉或热电设备的多功能能量系统

3

CN02105960.8

电容式指纹读取芯片

4

CN02111761.6

应用于生长外延晶体的通用衬底及其制备方法

5

CN02154484.0

碳化硅冶炼温度测控技术

6

CN02212898.0

管式加热炉

7

CN02816578.0

用于形成触点的方法及封装的集成电路组件

8

CN02826700.1

用于制作和分配充气的和或混合的食品的方法和设备

9

CN03124183.2

一种电容式指纹感测器及其制造方法

10

CN03815927.9

用于GAAS NEMS的二维电子气激励和传导的装置和方法

1

CN02121071.3

碳纤维表面涂复碳化硅的工艺和装置

2

CN03129393.X

自生增强体的高频磁场法细化工艺

3

CN88108387

单晶硅的制造方法和设备

4

CN91109267.6

碳化硅纤维高频热反应装置

5

CN92219541.2

冷水机

6

CN97113037.X

对半导体器件的改进

7

CN98124821.7

高频应用薄膜线圈元件及其制造方法

8

CN200310123080.1

一种在基板上转移制作薄膜的方法

9

CN200420092863.8

竖直式离子注入碳化硅高温退火装置

10

CN200420092867.6

水平式离子注入碳化硅高温退火装置

1

CN01821243.3

焊锡箔半导体器件电子器件半导体组件及功率组件

2

CN02121812.9

电路基片的制造方法及电路基片和其电力转换模块

3

CN03135892.6

一种SOI功率器件中的槽形绝缘耐压层

4

CN89218345.4

功率器件管芯焊接机

5

CN96227813.0

碳化硅冶炼电力整流装置

6

CN97121215.5

用于大功率半导体模件的液体冷却装置

7

CN99812144.4

射频功率碳化硅场效应晶体管的互连方法和器件

8

CN200310104015.4

具有表面横向3DRESURF层的新型功率器件

9

CN200310108977.7

局部绝缘体上的硅制作功率器件的结构及实现方法

10

CN200410009470.0

一种大功率半导体器件用的大面积散热结构

1

CN00103786.2

在单晶基板上形成第三族氮化物外延层方法制品及设备

2

CN00109653.2

具有紫外线检测功能的指示装置

3

CN00117242.5

一种纳米硅材料的制备方法

4

CN00134487.0

具有非矩形基板的半导体光电器件及其制造方法

5

CN01136843.8

一种单_多层异质量子点结构的制作方法

6

CN01140130.3

一种光电设备

7

CN01820799.5

一种特别适用于光学电子学或光电子学器件的基片加工方法和由该方法获得的基片

8

CN02108834.9

一种P型族氮化物材料的制作方法

9

CN02117423.7

室温发光硅基法布里珀罗FP微腔器件

10

CN02120168.4

硅光电器件以及利用这种器件的发光设备

1

CN02203150.2

用于流体的微波加热炉

2

CN02803195.4

半导体装置

3

CN02826975.6

三层横梁MEMS器件及相关方法

4

CN87212810.5

硅碳棒热端部电阻比测定仪

5

CN90214588.6

电流源压敏电阻稳压装置

6

CN96105302.X

交流发电机的整流器

7

CN96227813.0

碳化硅冶炼电力整流装置

8

CN98805691.7

制造肖特基半导体元件的方法

9

CN98813317.2

用于将磁场能转换到电场能的电子线路装置

10

CN200310109230.3

嵌位二极管结构三