材料

1

CN02808195.1

用于在半导体衬底上外延淀积膜的系统和方法

2

CN85109140

碳化硅(SiC)二极管温度传感器

3

CN98811437.2

氮化镓外延层的制造方法

4

CN99811468.5

碳化硅半导体结构上的层叠电介质

5

CN200510108860.8

半导体器件及其制造方法

6

CN200580041187.9

具有选择性气体供应的选择性外延工艺

7

CN200580043154.8

制造GaN或AlGaN晶体的方法

8

CN200610075283.1

半导体结构及其制作方法

9

CN200610093660.4

往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板

10

CN200710002380.2

半导体结构及形成半导体结构的方法

1

CN00103786.2

在单晶基板上形成第三族氮化物外延层方法制品及设备

2

CN00120258.8

在晶格高度失配的衬底上外延生长半导体的方法

3

CN00811253.3

氮化铝外延生长法及所用生长室

4

CN01106742.X

在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法

5

CN01136843.8

一种单_多层异质量子点结构的制作方法

6

CN01817655.0

采用回蚀工艺的低缺陷SiGe的层移植

7

CN02110601.0

屈服性衬底上制备外延异质晶体和薄膜材料的方法

8

CN02111761.6

应用于生长外延晶体的通用衬底及其制备方法

9

CN02119900.0

在碳化硅基衬底上获得高速电学材料结构的方法

10

CN02128518.7

一种制作白光发光二极管的方法

1

CN96194591.5

用于产生动力的改进方法和装置

2

CN97180662.4

产生动力用的冲压喷射发动机

3

CN200610003071.2

具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法

4

CN200710172321.X

钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法

5

CN200980120374.4

降低半导体外延内记忆效应的方法

6

CN201010588030.0

一种SiC单晶平整度的调整方法湿法刻蚀

7

CN201110401967.7

一种防止外延层生长二次位错的方法

8

CN201210000365.5

基于Ni膜辅助退火的石墨烯制备方法

9

CN201210000366.X

基于Cu膜辅助退火的石墨烯制备方法

10

CN201210009959.2

基于Ni膜辅助退火和Cl2反应的大面积石墨烯制备方法

1

CN01106742.X

在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法

2

CN02148065.6

半导体衬底半导体元件及其制造方法

3

CN02808195.1

用于在半导体衬底上外延淀积膜的系统和方法

4

CN02824729.9

诸如锗硅碳化物波导的波导及其制作方法

5

CN03113769.5

氮化镓或氮化铝晶体的制造方法

6

CN99801049.9

形成单晶硅层的方法和制造半导体器件的方法

7

CN200380101414.3

采用硅化合物进行的含硅层沉积

8

CN200410065875.6

具有硅衬底的氧化锌薄膜及制备方法

9

CN200480001996.2

半导体器件与生长薄应变弛豫缓冲层的方法

10

CN200510009071.9

微机械的半导体元件及其制造方法

1

CN00103786.2

在单晶基板上形成第三族氮化物外延层方法制品及设备

2

CN01234350.1

源头消除污染大气的燃烧器

3

CN02814772.3

涂层衬底的生产方法

4

CN03129601.7

ZnAl2O4_Al2O3复合衬底材料的制备方法

5

CN03150828.6

适用于InNGaN外延生长的复合衬底材料及其制备方法

6

CN03815927.9

用于GAAS NEMS的二维电子气激励和传导的装置和方法

7

CN99119773.9

一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法

8

CN200310123080.1

一种在基板上转移制作薄膜的方法

9

CN200410093449.3

在暴露的low k材料表面淀积保护性介质层的方法

10

CN200510028366.0

氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法

1

CN02824729.9

诸如锗硅碳化物波导的波导及其制作方法

2

CN02827653.1

式Mn1AXn化合物的合成方法 该化合物的膜及其用途

3

CN200410037736.2

湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺

4

CN200510009071.9

微机械的半导体元件及其制造方法

5

CN200510029703.8

采用新硬掩模的应变源漏制作方法

6

CN200580041187.9

具有选择性气体供应的选择性外延工艺

7

CN200610006728.0

外延半导体衬底的制造方法和半导体器件的制造方法

8

CN200610012129.X

一种纳米级库仑岛结构的制备方法

9

CN200610126999.X

用于MEMS器件的大面积3CSiC薄膜的制备方法

10

CN200710065183.5

基于氮化铝缓冲层的硅基3C碳化硅异质外延生长方法

1

CN01100835.0

点接触平面栅型单电子晶体管及其制备方法一

2

CN01117149.9

制造化合物半导体器件的方法设备

3

CN01136843.8

一种单_多层异质量子点结构的制作方法

4

CN02128518.7

一种制作白光发光二极管的方法

5

CN02808195.1

用于在半导体衬底上外延淀积膜的系统和方法

6

CN02811802.2

氮化物半导体其制造方法以及氮化物半导体元件

7

CN02813695.0

通过利用原子氧氧化提高栅极活性的方法

8

CN02827653.1

式Mn1AXn化合物的合成方法 该化合物的膜及其用途

9

CN03108535.0

制造V族化合物半导体的方法

10

CN98112814.9

用硅衬底碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体